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半导体设备是集成电路和泛半导体微观器件产业的基石，而集成电路和泛半导体微观器件，又是数码时代的基础。半导体设备微观加工的能力是数码产业发展最卡脖子的关键。没有能加工微米和纳米尺度的光刻机，等离子体刻蚀机和薄膜沉积等设备，就不可能制造出集成电路和微观器件。随着微观器件越做越小，半导体设备的极端重要性更加凸显出来。一个国家要成为数码时代的强国，至关重要的是要成为半导体微观加工设备的强国。
近年来数码产业蓬勃发展，已成为国民经济发展的最重要的引擎。随着数码产业的发展，全球半导体芯片和晶圆制造领域的持续投资，促进了半导体设备行业的快速发展。数码产业占全球企业总产值40%以上，而且在不断增长，和传统工业已经成为国民经济的两大支柱，数码产业的发展正在彻底改变人类的生产方式和生活方式。半导体微观加工设备是发展集成电路和数码产业的关键，已成为人们最关注的硬科技产业之一。
中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，虽然在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比还有一定的差距，但发展迅速并已初具规模，中国半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升，目前占比约20%。
微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工工艺的变化。存储器件从2D到3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为最关键的步骤，对这两类设备的需求量大大增加。光刻机由于波长的限制，更小的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合拳“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高，市场的年平均增长速度远高于其他的设备，这给以刻蚀机和薄膜设备为主打产品的中微公司带来了成长机会。
近年来泛半导体产业的发展和非常迅猛。三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展迅速。这些器件所需的MOCVD设备是最重要的关键设备。与集成电路在很多种设备，很多步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD设备实现。而且这个设备的大部分市场在中国。近年来，中国LED芯片产业的快速发展带动了作为产业核心设备的MOCVD设备需求量的快速增长。
公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。
公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司的薄膜沉积设备已付运客户端验证评估，已如期完成多道工艺验证，目前更多应用正在验证当中。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。
公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备、薄膜沉积设备及其他设备，其中主要产品的具体情况如下：
公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED外延片、先进封装、MEMS等半导体产品的制造公司销售刻蚀设备、薄膜沉积设备和MOCVD设备、提供配件及服务实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于设备相关配件销售及设备支持服务等。
公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行性阶段、Alpha阶段、Beta阶段、量产阶段。
公司按照刻蚀设备、MOCVD设备等不同研发对象和项目产品，组成了相对独立的研发团队。不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在电气工程、平台工程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方法，实现了人才、营运等资源在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，优化资源使用效率，使公司能够快速响应不断变化的研发要求，进行持续的技术创新。
为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、研发和设计能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多标准要求的供应商，才可以被考虑纳入公司合格供应商名录，并定期审核。目前，公司已经与全球众多供应商建立了长期、稳定的合作关系。
公司主要实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产方式。订单式生产是指公司在与客户签订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以应对客户的差异化需求。库存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内部需求及生产计划进行预生产，主要为快速响应交期及平衡产能。
公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式进行销售。公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国、中国、韩国、日本、新加坡、美国等国家或地区的区域销售和支持部门。
公司特别重视核心技术的创新。在开发、设计和制造刻蚀设备、薄膜沉积设备和MOCVD等设备的过程中，始终强调创新和差异化并保持高强度的研发投入。通过核心技术的创新，公司的产品已达到国际先进水平。
报告期内，公司紧跟技术发展趋势和客户需求，坚持自主创新，致力于产品的差异化，持续强化刻蚀设备的技术领先优势。在深耕成熟刻蚀工艺市场的同时大力投入先进芯片制造技术中关键刻蚀设备的研发。
在逻辑芯片制造方面，公司开发的12英寸高端刻蚀设备持续获得国际国内知名客户的订单，已经在从65纳米到5纳米的各个技术结点大量量产；同时，先进逻辑器件制造对加工的精确性，重复性，微粒污染水平，以及反应腔之间的匹配度等都提出了更高的要求，公司着力改进刻蚀设备性能以满足5纳米技术以下的若干关键步骤加工的要求，目前也已经获得重复订单并付运。
在存储芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。先进存储芯片制造中最关键的超高深宽比结构刻蚀应用目前仍然被国外半导体设备公司垄断。公司致力于提供超高深宽比掩膜（≥40:1）和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)的全套解决方案，相应的开发了配备超低频偏压射频的ICP刻蚀机用于超高深宽比掩膜的刻蚀，并且开发了配备超低频高功率偏压射频的CCP刻蚀机用于超高深宽比介质刻蚀。这两种设备都已经开展现场验证，目前进展顺利。
此外，公司和国内外特殊器件制造客户合作，在先进封装、功率器件、微机电系统等领域不断拓展应用，持续获得订单。公司通过与国际领先客户合作，积极参与新兴器件制造技术的研发，在超构透镜（Metalenses）和基于12英寸晶圆的微机电系统制造等方面都取得可喜的进展，公司设备已经在相应的生产线上进行最新技术的研发和试产。
在不断扩大刻蚀应用市场占有率和提升产品性能的同时，公司从成立伊始就致力于建立完整且稳定的供应商体系。近年来，公司持续加大供应商本土化和多元化的投入，在合作的深度和广度上进一步加强，为产品降本增效和供应链安全稳定提供更加坚实的保障。
公司用于制造深紫外光LED的高温MOCVD设备Prismo HiT3，其反应腔最高工艺温度可达1400度，单炉可生长18片2英寸外延晶片，并可延伸到生长4英寸晶片，已在行业领先客户端用于深紫外LED的生产验证并获得重复订单。
公司用于Mini-LED生产的MOCVD设备Prismo UniMax，具有行业领先的高产能和高灵活性的特点，在同一系统中可配备多达4个反应腔，每个反应腔都可实现独立控制。Prismo UniMax配置了785mm大直径石墨托盘，可实现同时加工164片4英寸或72片6英寸外延晶片，有效提高产能并降低生产成本。该设备使用了创新的多区辅助加热调节系统，能精确控制托盘局部区域温度，有助于更大程度上提升LED波长均匀性。Prismo UniMax已在领先客户端大规模量产。
公司用于硅基氮化镓功率器件用MOCVD设备Prismo PD5，具有高灵活性的特点，在同一系统中可配备多达4个反应腔，每个反应腔都可实现独立控制，仅通过更换石墨托盘即可实现6英寸与8英寸工艺的便捷切换，Prismo PD5设备已在客户生产线上验证通过并获得重复订单。
公司用于碳化硅功率器件外延生产的设备正在开发中，即将开展样机在客户端的验证测试，下一代用于氮化镓功率器件制造的MOCVD设备及制造Micro-LED应用的新型MOCVD设备也正在按计划开发中。
公司已在短时间内实现多种LPCVD设备的研发交付以及ALD设备(原子层沉积)的重大突破，多款新产品研发项目在快速推进。公司完全自主设计开发的双台机CVD钨设备，在达到业界领先生产率的同时，保证了较低的化学品消耗，具有优秀的阶梯覆盖率和填充能力，能够满足先进逻辑器件接触孔填充应用、DRAM器件接触孔应用，以及3D NAND器件中的多个关键应用需求。公司开发的新型号CVD钨设备用创新的工艺解决方案，满足了器件中超高深宽比的接触孔填充要求。公司开发的ALD钨设备，能够满足3D NAND等三维器件结构中金属钨的填充需求。同时公司在开发的另一ALD产品系列，具有业界领先的阶梯覆盖率、均一性和输出效率，能够满足先进逻辑和存储器件中金属阻挡层和金属栅极的应用需求。
2023年上半年度，公司研究开发支出共计46,030.41万元，政府补助抵减研发费用3,025.24万元，研究开发支出净额为43,005.17万元。其中：计入研发费用29,174.56万元，开发支出资本化13,830.61万元。本期研发投入资本化的比重增加18.95%，主要系本期在研项目达到资本化标准的金额增加。
数码产业越来越成为国民经济发展的最主要引擎，作为数码产业的基石，加工集成电路和各种微观器件的半导体设备产业，也越来越成为人们最关注的硬科技产业。作为国内外半导体高端设备的领先公司，中微公司顺应这一形势，迎来了大发展的机会。
中微的主打产品等离子体刻蚀设备是除光刻机以外最关键的微观加工设备，是制程步骤最多、工艺过程开发难度最高的设备。由于光刻机的波长限制和2维芯片到3维芯片的发展，等离子体刻蚀设备越来越成为关键制约设备，也成为十大类关键设备市场最大的一类，占半导体前道设备总市场约22%。公司布局的薄膜设备（主要是化学薄膜和外延设备）是除光刻机和刻蚀机外第三大设备市场。此外，中微公司通过投资布局了第四大设备市场——光学检测设备。
微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工制成的性变化。存储器件从2D到3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为最关键的步骤，对这两类设备的需求量大大增加。光刻机由于波长的限制，更小的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合拳“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高，近年来市场的年平均增长速度远高于其他的设备，这给以刻蚀机和薄膜设备为主打产品的中微公司带来了高速成长机会。
近年来泛半导体产业的发展也非常迅猛。三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展极快。这些器件所需的MOCVD设备是最重要的关键设备。与集成电路需要很多种设备、上千步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD设备实现，而且这个设备的大部分市场在中国。近年来，中国LED芯片产业的快速发展带动了作为产业核心设备的MOCVD设备需求量的快速增长。
公司继续瞄准世界科技前沿，持续践行三维发展战略，深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、安全发展。公司坚持以市场和客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，推动以研发创新为驱动的高质量增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化精细化生产经营，公司在刻蚀设备、MOCVD设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展，产品不断获得海内外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支撑。
公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局包括健康领域在内的新业绩增长点，子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的标的公司在各自细分领域取得了卓有成效的进展。
此外，为扩充资产规模、增强公司实力以持续做大做强主业，公司产业化建设项目正在顺利推进中，在南昌的约14万平方米的生产和研发基地已建成完工，并于2023年7月正式投入使用；公司在上海临港600848）的约18万平方米的生产和研发基地主体建设已完成，上海临港滴水湖畔约10万平方米的研发中心暨总部大楼也在顺利建设，为今后的大发展夯实基础。
报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断向国际先进水平的方向努力，实现公司高速、稳定、健康、安全发展。
公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好。2023年上半年公司研发投入为4.60亿元，相较去年同期增长32.96%，占收入比例为18.22%。
公司持续打造领先设备公司市场形象，积极参与有影响力的市场活动，不断强化公司技术和品牌优势。报告期内，公司发挥产品技术及销售服务竞争优势，持续深化同海内外客户的业务合作，以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。在持续改善量产机台的运行时间和生产效率的同时，研发团队和客户紧密合作，进行更多的关键制程的工艺开发和验证，进一步提高产品的技术先进性和市场竞争力，以拓宽机台的生产能力并赢得更多的制程量产机会。
公司CCP刻蚀设备Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo HD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线年第二季度，公司累计生产付运超过2500个CCP刻蚀反应台。
公司已有的产品已经对28纳米以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28纳米及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。针对28纳米及以下的逻辑器件生产中广泛采用的一体化大马士革刻蚀工艺，公司开发的可调节电极间距的CCP刻蚀机Primo SD-RIE已经进入客户验证阶段。该设备具有实时可调电极间距功能，可以在同一刻蚀工艺的不同步骤使用不同的电极间距，能灵活调节等离子体浓度分布和活性自由基浓度分布，可以有效的应对一体化大马士革刻蚀工艺中要求的在同一刻蚀工艺中达到最优的沟槽和通孔刻蚀均匀性的问题，极大拓宽一体化刻蚀工艺的工艺窗口。
在存储器件制造工艺中，超高深宽比刻蚀仍然是最为关键和困难的工艺之一，这一工艺是制约存储器件制造技术迭代的瓶颈之一，相应的设备由国外设备供应商垄断。极高深宽比刻蚀工艺的关键之一在于等离子体中的离子能够获得很高的能量和并且具有很好的准直性，从而能够到达极高深宽比结构的底部促进刻蚀反应进行。公司自主开发的超高深比刻蚀机采用大功率400KHz取代2MHz作为偏压射频源，通过低频射频有效提升离子入射能量和准直性，极大的提高深宽比刻蚀的能力。目前，该超高深宽比刻蚀机已经在客户端验证出具有刻蚀≥60:1深宽比结构的能力。
报告期内，公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并持续进行更多刻蚀应用的验证。ICP刻蚀设备中的Primo Nanova系列产品在客户端安装腔体数近三年实现>
100%的年均复合增长。特别是Nanova VE HP和Nanova LUX的推出，极大地扩展了ICP刻蚀设备的验证工艺范围，在先进逻辑芯片、先进DRAM和3D NAND的ICP验证刻蚀工艺覆盖率有望扩展到50%-70%不等。
Nanova VE HP在DRAM中的高深款比的多晶硅掩膜应用上，在客户的产线上认证成功。LUX也已付运至多个客户的产线上开始认证。Primo Twin-Star则在海内外客户的逻辑芯片、汽车功率器件Power Device、微型发光二极管Micro-LED、AR眼镜用的超透镜Meta Lens等特色器件的产线上实现量产，并取得重复订单。
报告期内，公司ICP技术设备类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备Primo TSV200E、Primo TSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户新建的12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司Primo TSV300E刻蚀设备拓展了新的市场。
报告期内，公司ICP刻蚀设备产品部门持续攻克技术难点，开展技术创新，成功地推出了适用于更高深宽比结构刻蚀的Nanova VE HP和兼顾深宽比和均匀性的Nanova LUX两种ICP设备，增强了ICP设备性能和工艺覆盖度，丰富了ICP产品种类。
Nanova VE HP配备了更高功率的偏压射频发生器、配套的耐高偏压的静电吸盘和边缘阻抗动态调节装置,提升了机台的高深宽比的刻蚀能力。边缘阻抗动态调节功能通过调整晶圆边缘的射频耦合实现对等离子体鞘层分布的调节，在高深宽比结构的刻蚀中，可以提高晶圆边缘刻蚀形貌的垂直度，并且延长反应腔清洗维护周期，提高设备利用率。
Nanova LUX集多区域温控静电吸盘、多水平脉冲射频发生器和高功率偏压射频发生器于一体。高功率偏压射频发生器能产生更高的离子能量，提升了高深宽比的刻蚀能力；多区域静电吸盘可对晶圆的局部温度进行微调，实现局部关键尺寸（Critical Dimension，CD）的调节，极大地提高晶圆内CD的均匀性；脉冲射频发生器能形成脉冲波形，实现对等离子体的灵活调节，扩大工艺窗口。Nanova LUX在客户的晶圆上实现3sigma为0.5nm的片内均匀性。
上述Nanova VE HP和Nanova LUX的推出，拓展了公司单台机ICP刻蚀设备Primo nanova家族的适用工艺制程，在全面满足55nm、40nm和28纳米逻辑芯片制造中的ICP刻蚀工艺要求的基础上，拓展了在先进逻辑、先进DRAM、更多层的3D NAND存储芯片和特色器件等芯片制造中的应用范围。与此同时，公司在原有的双台机ICP刻蚀设备Primo Twin-Star的基础上，通过研发晶圆边缘保护功能和低频偏压系统，推出了Twin-Star SE，该设备能把同一个反应腔体内的两个反应头之间的刻蚀速率差异缩小1/分钟。Twin-Star SE的推出，不仅拓展了公司双台机ICP刻蚀设备在汽车功率器件、微型发光二极管Micro-LED、AR眼镜用的超透镜Meta Lens等特色器件的刻蚀市场，也让客户在不同芯片种类的各种刻蚀应用上有了高产出、高性价比的双台机ICP设备可供选择。至此，公司ICP刻蚀设备形成了完整的单台和双台刻蚀设备的布局，满足客户对高刻蚀性能、高产能和高性价比的需求。
此外，报告期内，公司根据技术发展需求，有序推进先进ICP刻蚀技术研发，为推出下一代ICP刻蚀设备做技术储备，以满足新一代的逻辑、DRAM和3D NAND存储等芯片制造对ICP刻蚀的需求。
报告期内，公司用于蓝光照明的Prismo A7、用于深紫外LED的Prismo HiT3、用于Mini-LED显示的Prismo UniMax等产品持续服务客户。公司累计MOCVD产品出货量超过500腔，持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中Prismo UniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，累计出货量已超过120腔，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。Prismo UniMax设备拓展了公司的MOCVD设备产品线，为全球LED芯片制造商提供极具竞争力的Mini-LED量产解决方案，公司正与更多客户合作进行设备评估，扩大市场推广。同时，公司也紧跟市场发展趋势，布局行业前沿，针对Micro-LED应用的专用MOCVD设备正开发中。
公司还积极布局用于功率器件应用的第三代半导体设备市场。在氮化镓功率器件领域，随着手机和笔记本电脑快充、数据中心等应用的快速爆发，带动氮化镓功率器件生产应用的专用设备提速增长。2022年，公司推出了用于氮化镓功率器件生产的MOCVD设备Prismo PD5，目前已交付国内外领先客户进行生产验证，并取得了重复订单。公司也基于产业界的新需求，正开发下一代用于氮化镓功率器件制造的新型MOCVD设备，进一步提升公司在该领域的市场竞争力。
此外，随着电动汽车、光伏储能、轨道交通等应用的快速发展，市场对碳化硅功率器件的需求呈现爆发式增长，公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，目前实验室样机取得了初步进展，后续将与潜在客户合作开展实验室样品测试，并于2023年内交付样机至客户端开展生产验证，进一步丰富公司的产品线）薄膜沉积设备研发
公司首台CVD钨设备去年底付运关键存储客户端验证评估，目前验证进展顺利，已如期完成多道工艺验证，各项指标符合预期，更多应用正在验证当中。同时公司在和更多逻辑和存储客户对接验证，市场得到持续拓展。在原CVD钨设备的基础上，公司开发了新型号CVD钨和ALD钨设备来实现更高深宽比结构的材料填充，新型号的CVD钨和ALD钨设备是生产高端存储器件的关键设备，已通过关键客户实验室测试，首台量产验证机已在客户端进行测试。公司开发的应用于先进存储和逻辑器件的ALD氮化钛设备也取得重大进展，多项指标达到国际领先水平，关键客户的实验室测试获得了良好结果，预期在2023年下半年发往客户端进行量产验证。在现有的金属CVD和ALD设备产品基础上，公司计划进一步完善先进CVD和ALD设备产品线，以提供先进金属CVD和ALD设备全品类解决方案，进一步增强和逻辑存储客户的伙伴关系，全面拓展先进金属CVD和ALD设备产品市场。
公司组建的EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经形成自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案。目前公司EPI设备正处于工艺调试和客户验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。
子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理的化学反应器，开发制造了工业用大型净化设备。设备可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和节能的净化解决方案。中微惠创与德国DAS环境专家有限公司签订战略合作协议后，双方秉承协议内容按计划实施，在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，目前已经生产制造多台净化设备，并顺利的应用在各个客户端，共同推动环保科技行业的发展。此外，中微惠创还在积极探索新能源领域的相关研究。
子公司中微汇链创新性地以区块链理念和技术为基础，通过云+链方式打造新一代分布式去中心化的工业互联网平台We-Linkin，协助重点行业和区域产业优化资源配置、促进产业要素的价值实现与流通，充分发挥产业集群效应，为重点行业或链主企业建立资源汇聚、数据互联、流程互通、自主治理的产业协同体系。
中微汇链将公司多年来积累沉淀的业务管理最佳实践经验融入数字化应用产品开发中，致力于为中小型制造企业提供低成本、快速交付的数字化管理解决方案，不仅协助企业全面提升研发、制造、交付管理能力，还助力企业融入产业生态，参与产业创新协作体系。以创新数字化手段推动本土制造产业培育更多”专精特新”中小企业和单项冠军企业。目前，平台场景应用数量已超70个，可订阅微服务超300个。
中微汇链为上海市工业互联网协会以及中国物流与采购联合会区块链分会的首批理事单位、上海区块链技术协会会员单位。
报告期内，公司研发方向和产品符合市场趋势和需求，与产业发展深度融合。各产品的研发成果均取得行业主流客户的认可，客户验证情况良好，巩固了公司产品的竞争优势。
为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司正在上海临港新片区建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地。在南昌的约14万平方米的生产和研发基地已建成完工，并于2023年7月正式投入使用；公司在上海临港的约18万平方米的生产和研发基地主体建设已完成，上海临港滴水湖畔约10万平方米的研发中心暨总部大楼也在顺利建设，为今后的大发展夯实基础。
公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制，使生产所需的零部件原材料能够高效流转。公司也在持续开发关键零部件的供应商，也非常重视零部件的国产化工作。受到全球供应链紧张的影响，公司少量零部件交期较以往有所延长，但通过公司同供应商的通力协作，公司报告期内产品按计划交付。
公司在营运管理中采用关键指标管理，尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现方面设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定期跟踪各项指标的执行情况，并根据统计结果和客户反馈，制定出关键指标的改进要求。2023年上半年，公司获得了多项殊荣，行业认可度不断提升，在全球技术分析和知识产权服务提供商TechInsights举办的2023年客户满意度调查(CSS)中荣获六大奖项。其中，公司在专用芯片制造设备供应商（THE BEST Suppliers of Fab Equipment to Specialty Chip Makers）和薄膜沉积设备（Deposition Equipment）两个榜单中位列第一，此外公司还荣获了十大芯片制造设备专业型供应商（10BEST Focused Suppliers of Chip Making Equipment）中排名第三；专用芯片制造设备供应商（THE BEST Suppliers of Fab Equipment to Specialty Chip Makers）中排名第一；全球晶圆制造
报告期内，公司营运效率持续提高，设备交付按时率保持在较高水准、物料成本控制等指标达到预期水平。
公司高度重视科技创新和知识产权保护工作。报告期内，公司新增专利申请73项，其中发明专利53项。截至2023年6月30日，公司已申请2,359项专利，其中发明专利1,991项；已获授权专利1,425项，其中发明专利1,202项。公司鼓励创新，组织开展优秀专利奖项的评选活动，着重奖励在产品创新方面取得杰出成效的员工。
同时，公司全力保护专有技术与知识产权，不容忍侵犯公司商业秘密或其他不光彩的行为。报告期内，公司在针对美商科林研发股份公司（Lam Research Corporation，以下简称“科林研发”）提起的侵犯商业秘密案中赢得二审胜诉。在上海市高级人民法院2023年6月30日的终审判决中，法院命令科林研发销毁其非法获取的与中微公司等离子刻蚀机有关的一份技术文件和两张照片。法院还禁止科林研发及科林研发的两名个人被告披露、使用或允许他人使用中微公司的专有的技术秘密。法院还命令科林研发为其侵犯商业秘密向中微公司支付赔偿金和法律费用。
公司视“员工”为最宝贵的资产，致力于为员工提供广阔的职业发展空间，构建专业线、管理线发展双通道，并设计了针对不同发展阶段，包括从入职、成长到成熟，形式多样的职业规划，拓展人才发展渠道，无论普通员工，还是高管团队均能获得充分的发展机会。同时，公司践行“四个十大”的公司文化，打造赋能型、人性化、全员参与式的学习氛围，不断激发员工活力，助力员工实现自身职业理想，与企业共同成长发展。报告期内，公司进一步拓宽人才吸引渠道，从国内外吸引了行业经验丰富的管理及技术人才，并从知名院校中挑选了一批优秀的毕业生，公司2023年上半年新入职员工145人。公司注重激发组织和员工活力，组织开展多项深入的专题培训、学习交流，涵盖工程技术、战略商务、运营管理、财证金融、人工智能和人才发展六大学习版块，有力促进培养组织需要的技能，提升组织及人员竞争力，建立学习型组织文化氛围。公司持续优化人才绩效评估体系及人才晋升机制，使得优势资源更进一步的向高绩效员工倾斜。2023年6月12日，公司向1361名激励对象授予550万股限制性股票。公司持续优化人才梯队，为业务可持续发展提供人才保障。
公司不断践行外延式发展策略，公司下属的中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域取得了良好的进展，得到了市场和用户的高度评价。公司同时积极探索在相关领域的投资机会，公司的参股投资的拓荆科技、天岳先进、德龙激光、晶升股份等项目营运表现良好，其中，天岳先进、拓荆科技、德龙激光在2022年完成科创板挂牌上市，晶升股份于2023年4月完成科创板上市。报告期内，公司完成对睿励仪器的股权受让，进一步巩固产业链协同效应，完善公司业务布局。
公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强化风险管理和内部控制，严格贯彻执行相关制度，切实保障公司和股东的合法权益，为企业持续健康发展提供坚实基础。
公司严格遵守法律法规和监管机构规定，严格执行公司信息披露管理制度，真实、准确、完整、及时、公平地履行信息披露义务，通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证e互动、电话、邮件等诸多渠道，与投资者保持密切沟通，保持公司营运透明。报告期内，公司荣获“全景投资者关系金奖[2022]杰出IR公司”、“全景投资者关系金奖[2022]最佳机构沟通奖”等多个奖项。
公司高度重视内幕交易防范，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。
近年来，芯片晶圆厂和LED芯片制造商审慎地进行扩产。不能排除下游晶圆厂和LED芯片制造商的后续投资不及预期，对相关设备的采购需求减弱，这将影响公司的订单量，进而对公司的业绩产生不利影响。
作为科技创新型企业，中微公司秉承扁平化的全员激励原则，对不同层级员工均给予股权激励。员工持股计划涉及公司全体员工的个人利益，在员工持股计划限售期届满后，如何实现员工保持相当的激励水平，对公司的管理能力提出了一定的挑战。如果公司未来未能使员工持股计划持续作为员工整体薪酬的重要组成部分，将可能导致公司人员流失等治理风险。
公司自成立以来先后承担了多项政府重大科研项目。如果公司未来不能持续获得政府补助或政府补助显著降低，将会对公司经营业绩产生不利影响。
公司为高新技术企业，报告期内公司享受高新技术企业15%所得税的优惠税率，如果国家上述税收优惠政策发生变化，或者公司未能持续获得高新技术企业资质认定，则可能面临因税收优惠减少或取消而降低盈利的风险。
近年来，受复杂的国际形势影响，半导体器件供应链持续紧张，公司部分关键零部件和进口的材料采购周期较长，少量零部件供应处于停滞状态。公司对关键零部件供应商采取多厂商策略支持零部件及时供应。若未来上游供应链产能紧张形势延续，将对公司设备交期产生不利影响，进而影响公司销售。
集成电路产业作为信息产业的基础和核心，是国民经济和社会发展的战略性产业。国家出台了一系列鼓励政策以推动我国集成电路及其装备制造业的发展，增强产业创新能力和国际竞争力。若未来国家相关产业政策支持力度减弱，将对公司发展产生一定影响。
近年来，国际贸易摩擦不断。中美贸易摩擦在众多国际贸易摩擦中备受关注。如果中美贸易摩擦继续恶化，公司的生产运营将受到一定影响。公司始终严格遵守中国和他国法律，一直保持与相关政府部门的及时沟通。公司拥有部分海外业务，存在一定的国际贸易摩擦风险。
半导体设备行业是典型的技术密集型行业，为了保持技术优势和竞争力，防止技术外泄风险，已掌握先进技术的半导体设备企业通常会通过申请专利等方式设置较高的进入壁垒。公司一贯重视自主知识产权的研发，建立了科学的研发体系及知识产权保护体系，但仍不能排除与竞争对手产生知识产权纠纷，亦不能排除公司的知识产权被侵权，此类知识产权争端将对公司的正常经营活动产生不利影响。
公司在全球范围内销售产品，在多个国家或地区注册知识产权，但不同国别、不同的法律体系对知识产权的权利范围的解释和认定存在差异，若引发争议或诉讼将影响业务经营。
此外，产业链上下游供应商与客户的经营也可能受知识产权争议、诉讼等因素影响，进而间接影响公司正常的生产经营。
关键技术人员是公司生存和发展的关键，也是公司获得持续竞争优势的基础。公司已经通过全员持股方式，有效提高了关键技术人员和研发团队的忠诚度和凝聚力，但随着国际贸易摩擦不断、半导体设备行业对专业技术人才的需求与日俱增，人才竞争不断加剧，若公司不能提供更好的发展平台、更有竞争力的薪酬待遇及良好的研发条件，存在关键技术人员特别是美籍人员流失的风险。
针对契合中微公司的中长期发展战略、有发展潜力的标的公司或部门，中微公司计划通过股权投资、并购等方式进行布局，以拓展公司业务领域，培育新的利润增长点，进一步提升公司防范市场波动风险并提升公司盈利能力。在进行投资和并购项目实施过程中，将面临投资风险及并购风险。
基于产业支持政策、市场环境和发展趋势，公司经过尽职调查及可行性研究作出项目投资决策。公司投资项目标的企业在后续发展过程中，可能面临产业政策变化、市场环境变化、产品技术水平不达预期等诸多不确定因素，可能导致其实际经营表现不达预期，导致投资项目的实际效益与预期结果存在较大差异，进而对公司利润产生不利影响。
公司强调稳健发展，坚持实施内生性增长与外延式并购相结合的发展策略。虽然公司未来并购时将继续秉承审慎原则，相应制定整合计划，防范并购风险，但若出现宏观经济波动、市场竞争加剧、地缘环境变化、被并购公司业绩低于预期或协同效应未显现等情形，将对公司的经营业绩产生不利影响。
公司所处的半导体设备行业属于技术密集型行业，半导体关键设备的研发涉及等离子体物理、射频及微波学、结构化学、微观分子动力学、光谱及能谱学、真空机械传输等多种科学技术及工程领域学科知识的综合应用，具有产品技术升级快、研发投入大、研发周期长、研发风险高等特点。
国外领先的半导体设备公司均在研发方面投入巨额资金。公司研发投入总额与国外领先的半导体公司有相当大的差距。如果公司未来研发资金投入不足，不能满足技术升级需要，可能导致公司技术被赶超或替代的风险，对公司未来的经营业绩产生不利影响。
公司主要从事半导体及泛半导体设备的研发、生产和销售，为全球半导体制造商及其相关的高科技新兴产业公司提供加工设备和工艺技术解决方案，助力他们提升技术水平、提高生产效率、降低生产成本。公司围绕这一目标，不断加强管理和研发能力，形成了优秀的技术和管理团队持续研发创新并推出有技术和市场竞争力的产品。
中微公司的创始团队及技术人员拥有国际领先半导体设备公司的从业经验，是国内具有国际化优势的半导体设备研发和运营团队之一。
中微公司的创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有超过30年的行业经验，是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者之一。中微公司的其他联合创始人、核心技术人员和重要的技术、工程人员，包括各专业领域的专家，其中很多是在国际半导体设备产业耕耘数十年，为行业发展做出杰出贡献的资深技术和管理专家。他们在参与创立或后续加入中微公司后，不断创造新的技术、工艺和设计，为公司产品和技术发展做出了不可替代的贡献。
中微公司以合作共赢的团队精神和全员持股的激励制度，吸引了来自世界各地具有丰富经验的半导体设备专家，形成了成熟的研发和工程技术团队。截至报告期末，公司共有研发人员634名，涵盖了等离子体物理、射频及微波学、结构化学、微观分子动力学、光谱及能谱学、真空机械传输等相关学科的专业人员。凭借研发团队多年的努力以及持续不断的研发投入，公司成功研发了具有市场竞争力的半导体刻蚀设备及MOCVD设备，并实现了大规模产业化，积累了丰富的研发和产业化密切结合的经验和雄厚的技术、专利储备。
公司成功打造了一支具有创造力和竞争力的技术和研发团队，有力地保障了公司产品和服务不断创新改进。
持续较高水平的研发投入是公司保持核心竞争力的关键。半导体制造对设备的可靠性、稳定性和一致性提出了极高的要求，半导体设备行业技术门槛较高，行业新进入者需要经过较长时间的技术积累才能进入该领域。
公司面向世界先进技术前沿，以国际先进的研发理念为依托，专注于高端微观加工设备的自主研发和创新。公司始终保持大额的研发投入和较高的研发投入占比。公司具有一支技术精湛、勇于创新的国际化人才研发队伍，形成了良好的企业创新文化，为公司持续创新和研发提供保障力量。
公司积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验，这一优势保证了公司产品和服务的不断进步。公司拥有多项自主知识产权和核心技术，截至2023年6月30日，公司已申请2,359项专利，其中发明专利1,991项；已获授权专利1,425项，其中发明专利1,202项。
在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线纳米以下器件中若干关键步骤的加工；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求持续进行设备开发和工艺优化。在3D NAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已应用于64层和128层的量产，同时公司根据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀设备和工艺；公司也根据逻辑器件客户的需求，正在开发更先进刻蚀应用的设备。公司的MOCVD设备Prismo A7、Prismo UniMax能分别实现单腔单腔34片4英寸和41片4英寸外延片加工能力。公司的Prismo A7与Prismo UniMax设备技术实力突出，已在全球氮化镓基LED MOCVD市场中占据领先地位。公司和诸多一流的LED外延片厂商公司紧密合作，实现了产业深度融合。公司开发的12英寸低压薄膜沉积设备可以用于先进逻辑电路接触孔填充工艺，以及3D NAND器件的多个工艺的制程要求，同时公司还致力于更先进逻辑电路的接触孔填充设备和更多层数的存储器件接触孔和金属互联填充设备的开发和工艺验证。
经过多年的努力，公司凭借在刻蚀设备及MOCVD设备领域的技术和服务优势，产品已成功进入了海内外半导体和LED制造企业，形成了较强的客户资源优势。
设备制造商的售后服务尤为关键，关系到设备能否在客户生产线上正常、稳定地运行。随着半导体和LED制造环节向亚洲转移，相较于国际竞争对手，公司在地域上更接近主流客户，能提供快捷的技术支持和客户维护。
公司的设备产品覆盖集成电路、MEMS、LED等不同的下游半导体应用市场，具有不同的周期性，多产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响。
公司对于零部件供应商的选择十分慎重，对供应商的工艺经验、技术水平、商业信用进行严格考核，并对零部件进行严格测试。公司建立了全球化的采购体系，与全球约400家供应商建立了稳定的合作关系。同时，公司注重零部件的本土化，在国内培育了众多的本土零部件供应企业，有力地保障了公司产品零部件供应和服务水平的持续提升。
公司高度重视企业管理文化建设，经过多年的实践发展，形成了以“四个十大”的企业管理文化，包括“产品开发的十大原则”、“战略销售的十大准则”、“营运管理的十大章法”和“精神文化的十大作风”。秉承“攀登勇者，志在巅峰”企业精神，不断攀登新的技术和发展高峰。
公司在成立初期就为设备的产业化确立了十项设计和开发的基本原则：（1）为达到设备的最高性能和客户最严要求而开发；（2）为技术的创新、设备的差异化和IP保护而开发；（3）为实现加工的重复性和反应器一致性而开发；（4）为确保设备的可靠性和耐用性而开发；（5）为达到极少的颗粒和避免器件损害而开发；（6）为设备容易制造和容易维护而开发；（7）为设备模块化、同制化、容易改进和升级而开发；（8）为设备安全性和环境保护而开发；（9）为设备的高输出、低成本、低消耗和高利润而开发；（10）严格遵循五阶段产品开发管理流程（PDP）。遵循这十项原则，公司在最初开发和设计的阶段就充分考虑设备在生产线上可能出现的问题和解决方案，使得公司开发的产品能较快地实现产业化，成为操作简单、性能可靠、好用耐用的设备。
公司业务发展战略和销售十大准则：（1）三维市场和产品发展战略；（2）有机生长和外延扩展战略；（3）客户导向与引领市场战略；（4）立足中国和全球布局战略；（5）自立自强和合纵连横战略；（6）新产品导入策略；（7）关键客户管理策略；（8）谈判技巧和策略；（9）客户组织内全方位的布局；（10）客户满意的服务策略。
公司运营管理的十大章法：（1）目标管理制度（MBO）；（2）关键绩效指标管理制度（KPI）；（3）集中的决策机制；（4）全员持股的股权期权激励；（5）跨部门合作的矩阵管理；（6）严格且智能的生产和供应链管理；（7）系统的“三全”质量管理制度；（8）严格的法务、合规和知识产权管理；（9）季度审查总结会制度（QCR）；（10）环境、社会和公司治理（ESG）。
公司精神文化的十大作风：（1）自立自强，主动积极；（2）志存高远，进取不息；（3）诚信务实，说到做到；（4）大胆建言，勇于创新；（5）智慧决策，全力执行；（6）看人长处，认己不足；（7）换位思考，善于倾听；（8）厚德载物，乐于助人；（9）严守机密，纪律严明；（10）大局为重，合作共赢。