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1947年，美国人威廉.萧克利的研发小组成功制造出了世界上第一个晶体管，而晶体管的问世，也带来了20世纪微电子的先声，此后美国成为了积体电路的发明者与奠基者，它成为了全球半导体产业的龙头，但也几乎在同时，日本的半导体行业也在开始崛起，曾一度是全球最大半导国出口国，但美国却用十年时间，就用手段扼杀了日本的半导体产业。
早在1955年的时候，已经成立了10年的索尼就在“无线电热潮（真空管）”中看好当时不被同行看好的电晶体技术，还开发出了世界上第一台电晶体收音机“TR-55”，这在日本半导体发展史上具有标志性意义，从那时候开始日本便开始大规模的生产电晶体，到1959年，日本一共生产了约8600万个电晶体，取代美国成为世界最大的电晶体生产国，而在美国发明矽积体电路之后，日本也引进了技术进行大规模生产。
1963年的时候，日本为了大力发展半导体技术，甚至要求国内各大公司将取得的技术和国内其他厂商分享，这项举措为日本半导体产业发展营造了良好的氛围，日本三菱、京都电气等也开始进入半导体产业，由此日本半导体行业进入了高速发展阶段。
同时，为了彻底摆脱美国对日本半导体行业的影响，实现从原料、设备到制造的全部自产自研，让日本半导体行业追赶甚至超越美国，所以日本举全国之力研发DRAM，日本国家及企业在初级阶段对今后如何研发半导体技术以及如何让相关制造设备国产化，均有明确的方针。
1973年，受到石油危机的爆发，欧美经济停滞，各类资源的需求放缓，这也影响了欧美的半导体产业，不过，这却给了日本可乘之机，1976年3月，经多次协商，日本政府启动了名为“DRAM制法革新”国家项目，由日本政府出资320亿日元，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大企业联合筹资400亿日元，总计投入720亿日元（当时汇率折合美元约2.36亿美元）为基金，由日本电子综合研究所，和计算机综合研究所牵头，设立国家性科研机构“”VLSI 技术研究所”，招募800多名技术精英，共同研制国产高性能DRAM制程设备，目标是突破64K DRAM和256K DRAM的实用化，远期在10-20年内，实现1M DRAM的实用化。
日本在短短的时间里形成了完整的产业链，构建了成熟的半导体生态，晶体制造巨头信越、SUMCO，光罩领导者TOPPAN ，后端材料领域的京瓷、住友电工，前后端检测Advantest 和东京电子，光刻机巨头尼康等，以DRAM为入口，依托于汽车和PC产业的繁荣，日本DRAM产业获得了飞速发展，1985年，日本第一次在市场占有率方面超越美国，成为全球最大的半导体出口国，日本成为全球半导体行业的龙头。
截止到1989年，日本半导体产品在全球的市场占有率达53%，而美国仅37%，欧洲占12%，韩国占1%，其他地区占1%，历史数据中，1988年的全球半导体制造商十强名单中，有六个来自日本，美国只有德州仪器、英特尔和摩托罗拉入选，剩下的一家则是来自荷兰的飞利浦半导体J。
然而，日本半导体产业的辉煌，让美国感到十分愤怒，1982年，美国决定对三菱和日立进行了打压，FBI甚至进行钓鱼执法，故意把IBM公司的27卷机密设计资料中的10卷发给了日立公司高级工程师林贤治，林贤治很快上当，表示还想要换取更多资料，FBI马上拿到证据并公之于众，并称“日本企业正在窃取美国技术”，不得不说这次钓鱼执法极为成功，日立和三菱被美国法律整得元气大伤，但日本的半导体产业还是处于高速发展之中。
终于，到1985年时候，美国对日本发动了经济战争，逼迫日本签订了《广场协议》，美国金融专家们还不断地对日元进行干预，逼迫日元不断升值，不到3年的时间，从约240日元兑1美元，涨到到120日元兑1美元，美元对日元贬值了50%，日本开始陷入经济泡沫，而美国半导体产业协会也开始向美国商务部投诉日本半导体产业不正当竞争，要求根据301贸易条款解决市场准入和不正当竞争的问题。
1989年日本签下了不平等条约《日美半导体保障协定》，该条约规定日本必须开放半导体产业的知识产权和专利，1991年美国再次强迫日本签订了第二次半导体协议，1995年，在经历了10年的打压之后，日本最终还是缴械投降，1999年，为了保存最后一丝火苗，日立、NEC、三菱电机三家的DRAM业务开始整合，1999年，尔必达成立，但是美国依然没有放过日本，在日本负隅顽抗了十几年后，2012年2月28日，在美韩的联手下，尔必达宣布破产，日本半导体行业彻底回天乏术。
日本从1963年开始，用了22年的时间，举全国之力发展的半导体产业，一度成为行业领导者，却被美国用了10年轻易击垮，只是在美事保护伞下的日本，从一开始就注定了结局。而美国这一次的科技猎杀又瞄准了5G和华为。
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